Красников Геннадий Яковлевич

Красников Геннадий Яковлевич - руководитель бизнес-направления «Ситроникс Микроэлектроника» концерна ОАО «Ситроникс», генеральный конструктор ОАО «НИИМЭ и Микрон», генеральный директор ОАО «НИИМЭ».

Доля в акционерном капитале

С 29 июля 2009 года доля Красникова в капитале ОАО «СИТРОНИКС» увеличилась в результате опционной программы до 1,824% (ранее 1,726%).

Биография

Родился 30 апреля 1958 года в Тамбове, Россия.

Образование

1981 г. - окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники по специальности «Автоматика и электроника»^[1].

Научная степень, ученое звание

Доктор технических наук, профессор.

1990 г. - защитил кандидатскую диссертацию.

1996 г. - защитил докторскую диссертацию.

1998 г. - было присвоено звание профессора.

Карьера

Декабрь 1981 г. - избрали освобожденным секретарем комитета комсомола НИИМЭ и завода «Микрон».

1983 г. - занял по предложению директора НИИ должность ведущего инженера вновь созданной лаборатории, выполнявшей сложные научные задачи.

1984 г. - был назначен начальником ведущего цеха завода «Микрон».

1987 г. - становится заместителем главного инженера «Микрона».

1988 г. - становится заместителем директора по производству, коммерческим директором завода «Микрон».

Именно благодаря его инициативе с помощью чековых аукционов и консолидации акций физических лиц удалось вернуть к жизни ОАО «Концерн Научный Центр».

1998 г. - возглавил ОАО «Концерн Научный Центр», практически на нештатной основе, в качестве генерального директора.

2000 г. - оставив место на «Микроне», становится официальным директором и одновременно председателем Cовета директоров ОАО «Концерн Научный Центр».

С 2003 г. - генеральный конструктор, научный руководитель ОАО «Концерн Научный Центр» (в 2004 г. переименован в ОАО «СИТРОНИКС»).

С 2005 г. - генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон», вице-президент ОАО «СИТРОНИКС», руководитель бизнес-направления «Микроэлектроника» ОАО «СИТРОНИКС».

9 января 2007 г. - вошел в состав Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию^[2].

С 2010 г. - член Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».

Член Совета руководителей EMEA Leadership Council Глобального альянса производителей полупроводников (GSA).

Учредитель Некоммерческой организации «Фонд содействия развитию международного сотрудничества»^[3].

Член редакционных коллегий журналов «Микроэлектроника» и «Электроника: наука, технология, бизнес».

Член Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию, Совета генеральных и главных конструкторов при Правительстве РФ, Совета по нанотехнологиям при Комитете Государственной Думы РФ по науке и наукоемким технологиям, Совета по научной и технической политике при Министерстве обороны России.

В феврале 2012 года Геннадий Красников стал доверенным лицом кандидата в президенты Владимира Путина.

Заведующий кафедрой субмикронной технологии СБИС Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Национальный исследовательский университет «МИЭТ»^[4].

Под его руководством защищено 3 докторских и 7 кандидатских диссертаций^[5].

Член Попечительского совета Алфёровского фонда^[6].

Член Совета некоммерческой организации «Фонд развития Центра разработки и коммерциализации новых технологий», утвержденной в рамках проекта по созданию иннограда Сколково^[7].

Генеральный директор ОАО «НИИМЭ» и генеральный конструктор «Микрона», академик РАН Г.Я. Красников вошел в состав Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию по Указу Президента Российской Федерации от 25 октября 2013 года (Указ Президента Российской Федерации № 803 об Утверждении состава Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию и президиума Совета). Совет является совещательным органом при Президенте Российской Федерации, образованным в целях обеспечения взаимодействия федеральных органов государственной власти, органов государственной власти субъектов Российской Федерации, органов местного самоуправления, общественных объединений, научных и образовательных организаций при рассмотрении вопросов, связанных с развитием науки и образования, а также в целях выработки предложений Президенту Российской Федерации по актуальным вопросам государственной политики в области научно-технического развития и образования.

Членство в РАН

С 30 мая 1997 г. - Член-корреспондент РАН (Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации (специальность - Вычислительная техника и элементная база).

С 29 мая 2008 г. - Академик РАН ( Отделение нанотехнологий и информационных технологий (микро- и наноэлектроника).

Общественная деятельность

Член Жюри на Собрании партнеров международного конкурса деловой журналистики «Pressвание», которое состоится в Общественной палата РФ 5 марта 2013 года^[8].

Научная деятельность

Сфера научной деятельности: разработка и создание сверхбольших интегральных схем (СБИС), системная интеграция маршрутов их проектирования и изготовления на основе общих физико-технологических принципов, обеспечивающих унификацию этих технологий^[5].

Экперт в области микро- и наноэлектроники, разработки конструктивно-технологического базиса компонентов вычислительной техники, создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемы обеспечения качества их промышленного производства.

Геннадием Красниковым был создан комплекс оригинальных научно-обоснованных технических решений, охватывающих весь технологический маршрут изготовления КМОП микросхем, являющихся основой современной теории формирования элементной базы СБИС, где определены закономерности возникновения и поведения фоновых примесей, как по границам компонентов систем «металл-окисел-кремний», так и по всей системе в целом при изготовлении микросхем с минимальными топологическими размерами от 180 нм до 65 нм. Сформирована современная теория стабилизации электрических параметров интегральных схем^[5].

Публикации

Автор 279 научных работ, 36 изобретений и разработок в области разработки микросхем – элементной базы современной вычислительной техники и электроники, 3 монографий. Научные работы посвящены созданию сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемам обеспечения качества их промышленного производства.

Монографии:

• «Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов» (М.: Техносфера. В 2 т., 2002-2004);

• «Система кремний-диоксид кремния субмикронных СБИС» (в соавторстве с Н.А. Зайцевым, М.: Техносфера, 2003) и другие^[2].

Патенты

1) Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий - изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении приборов вакуумной микроэлектроники;

2) Состав газовой смеси для формирования нитрид танталового металлического затвора методом плазмохимического травления - изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии;

3) Способ химико-динамической полировки - изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений;

4) Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС - изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем;

5) Способ изготовления структуры кремния на изоляторе - изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе;

6) Способ получения гранул кремния высокой чистоты - изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов;

7) Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов - изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к полевым эмиссионным элементам с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов: к триодам, к диодам и к устройствам на их основе, полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов;

8) Способ получения кремния высокой чистоты - изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов;

9) Вакуумный интегральный микроэлектронный прибор и способ его изготовления - изобретение относится к вакуумным интегральным микроэлектронным приборам с катодами вертикального типа и обратным расположением электродов относительно подложки и устройствам на их основе: вакуумным интегральным схемам, вакуумным микроэлектронным переключателям токов, полевым эмиссионным дисплеям;

10) Матрица полевых эмиссионных катодов с затворами (варианты) и способ ее изготовления - изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к матрицам полевых эмиссионных катодов с затворами и устройствам на их основе: полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов^[9].

Награды и звания

Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008).

Орден Почёта и Орден Дружбы (2014).

Лауреат Государственной премии РФ в области науки и технологий (2014)

Дважды лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники (1999 и 2009 годы).

1997 г. - награжден медалью «В память 850-летия Москвы»^[2].

1996 г. - удостоен Серебряной медали Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'96».

1997 г. - удостоен Золотой и Серебряной медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'97».

2000 г. - удостоен 4-х Серебряных медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'2000»^[5].

Интересные факты

В 1979 году, на 4-м курсе, он готовит свои первые научные работы. Выступая за МИЭТ, не раз занимает первые места на Всероссийских студенческих конференциях^[2].

Увлечения

Увлекается фотографией, коллекционирует редкие фотоаппараты^[2].

Семейное положение

Супруга – Красникова Светлана Анатольевна (1963 г. рожд.).

Сын – Красников Андрей Геннадьевич (1986 г. рожд.), магистрант Московского государственного института электронной техники.

Дочь – Полина (2003 г. рожд.).

Примечания